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    本發明提供能夠增強可見度之一種顯示器及一種電子單元。該顯示器包含：複數個像素，每一像素包含一光發射器件，且在其至少一部分中具有一光透射區域；及一或多個透射比控制器件，其能夠控制入射光之一透射比。
    公开号:TW201300876A
    申请号:TW101118252
    申请日:2012-05-22
    公开日:2013-01-01
    发明作者:Toshiaki Arai；Yoshihiro Oshima
    申请人:Sony Corp；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    顯示器及電子單元
    本發明係關於一種具有一光發射器件之顯示器及一種具備此一顯示器之電子單元。
    近年來，已積極研究AR(擴增實境)技術。AR技術之特徵為呈現一合成虛擬物件作為一真實環境(之一部分)之額外資訊(電子資訊)。AR技術與虛擬實境成對比。在AR技術中，包含關於處於一真實環境下之一特定物件之解釋或相關資訊且將其呈現接近於以解釋或相關資訊為目標之實際物件。因此，作為一基本技術，獲取關於諸如其中一使用者觀察到一物件之一位置之一真實環境之資訊之一技術被認為是重要的。
    同時，近年來，已使稱作一智能手機或一平板電腦之具有相對大的顯示器之電子單元商業化。在由安裝於一電子單元上之一影像拾取器件(一相機)拍攝之後，將一真實環境之一影像顯示於該顯示器上，且疊加一虛擬物件並將其顯示於該顯示器之一螢幕上。因此容易藉助此等電子單元來實現AR。
    增強AR中之實境(存在)之一技術之實例之一係其背面側可視覺識別之一顯示器(具有各自具有一光透射區域之像素)(一所謂透明顯示器)。在此透明顯示器中，可在視覺上透過該顯示器識別一實際真實環境，而不是由如同上文所述之影像拾取器件之一影像拾取器件拍攝之一影像。出於這個理由，可藉由將關於該真實環境之電子資訊顯示於該顯示器上來實現具有更高存在之AR。
    此一透明顯示器之實例之一係使用以下透明材料(光透射材料)作為一半導體材料及一佈線材料之一有機電致發光(EL)顯示器(參見，舉例而言，Doo-Hee Cho等人之「Al and Sn-doped Zinc Indium Oxide Thin film Transistors for AMOLED Back-Plane」，SID2009會刊，第280-283頁)。在此有機EL顯示器中，舉例來說，在一薄膜電晶體(TFT)中，使用一氧化物半導體(舉例而言，鋁(Al)及錫(Sn)添加至其之Zn(鋅)-In(銦)-O(氧))作為該半導體材料。作為該佈線材料，使用ITO(氧化銦錫)。
    此處，當如上文所述使用此一透明顯示器作為該AR顯示器時，期望改良可見度之以便進一步增強存在。
    提供能夠增強可見度之一顯示器及一電子單元係合意的。
    根據本發明之一實施例，提供一種顯示器，其包含：複數個像素，每一像素包含一光發射器件，且在其至少一部分中具有一光透射區域；及一或多個透射比控制器件，其能夠控制入射光之一透射比。
    根據本發明之一實施例，提供一種電子單元，其包含一顯示器，該顯示器包含：複數個像素，每一像素包含一光發射器件，且在其至少一部分中具有一光透射區域；及一或多個透射比控制器件，其能夠控制入射光之一透射比。
    在根據本發明之上述實施例之顯示器及電子單元中，提供能夠控制該入射光之該透射比之該透射比控制器件。因此，實現對光透射比之控制以適於具有光透射區域之像素中之光發射器件中之一光發射狀態(在光發射時或在非光發射時)。
    根據本發明之上述實施例中之顯示器及電子單元，提供能夠控制該入射光之該透射比之該透射比控制器件。因此，實現對光透射比之控制以適於具有光透射區域之像素中之光發射器件中之光發射狀態。因此，增強具有各自具有光透射區域之像素之顯示器中之可見度。
    應理解，上述概括說明及下文詳細說明兩者皆係實例性且意欲提供對所主張之本發明之進一步闡釋。
    包含附圖以提供對本發明之進一步理解，且該等附圖併入本說明書中並構成本說明書之一部分。該等圖式圖解說明本發明之實施例且與說明書一起用來闡釋本發明之原理。
    下文將參照圖式詳細說明本發明之實施例。應注意，說明將按以下次序提供。
    1.第一實施例(使用執行對光之透射及吸收之一電致變色器件之一實例)
    2.第二實施例(使用執行對光之透射及反射之一電致變色器件之一實例)
    3.第三實施例(使用一電潤濕器件之一實例)
    4.為第一實施例至第三實施例所共有之修改
    修改1(其中一透射比控制器件係針對每一水平線而安置之一實例)
    修改2(其中一透射比控制器件係針對每一子像素(像素)而安置之一實例)
    修改3及修改4(其每一者中一透射比控制器件係與每一子像素並排安置之實例)
    5.模組及應用實例
    6.其他修改 [第一實施例] [顯示器1之組態]
    圖1係圖解說明根據本發明之一第一實施例之一顯示器(一顯示器1)之一示意性組態之一方塊圖。此顯示器1包含一顯示面板10(一顯示區段)及一驅動電路20(一驅動區段)。在顯示器1中，一像素之至少一部分係一光透射區域(一透射區域)，藉此允許視覺識別一背面側(該顯示器充當一所謂透明顯示器)，如稍後將闡述。 (顯示面板10)
    顯示面板10包含具有配置成一矩陣之複數個像素11之一像素陣列區段13，且藉由基於自外部輸入之一影像信號20A及一同步信號20B執行主動式矩陣驅動來顯示一影像。像素11中之每一者經組態以包含對應於複數種(此處，三種)色彩之複數個子像素(亦即，各別色彩之子像素)，如稍後將闡述。
    像素陣列區段13包含配置成列之複數條掃描線WSL、配置成行之複數條信號線DTL及沿著該等掃描WSL配置成列之複數條電力線DSL。掃描線WSL、信號線DTL及電力線DSL中之每一者之一端連接至稍後將闡述之驅動電路20。此外，配置成列及行(配置成該矩陣)之像素11中之每一者安置成對應於該等掃描線WSL中之每一者與該等信號線DTL中之每一者之一相交點。應注意，在圖1中，下文稍後將闡述之對應於複數種色彩之複數個信號線DTLr、DTLg及DTLb(亦即，各別色彩之信號線)被簡化且圖解說明為該等信號線DTL中之每一者。
    此外，在像素陣列區段13之幾乎整個表面上，安置能夠控制入射光之一透射比(一光透射比)之一透射比控制器件15。換言之，此處提供為像素陣列區段13內之所有像素11所共有之唯一透射比控制器件15。更確切地說，透射比控制器件15之解析度低於像素11之解析度(亦即，透射比控制器件15係針對每複數個像素11(此處，針對所有像素11)而安置)。此外，在本實施例中，透射比控制器件15經安置(配置如同一層)以面向像素11中之每一者(稍後將闡述之有機EL器件12中之每一者)。此處，透射比控制器件15能夠在入射光透射操作與入射光吸收操作之間切換操作。具體而言，在稍後將闡述之有機EL器件12之光發射及非光發射(消光)中之每一者時，允許透射比控制器件15在透射操作與吸收操作之間切換操作。此處，透射比控制器件15係稍後將闡述之一電致變色(EC)器件。
    圖2以一平面圖形式示意性地圖解說明像素11中之每一者之一內部組態(一子像素組態)之一實例。
    像素11中之每一者經組態以包含紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之三色子像素11R、11G及11B。換言之，像素11中之每一者具有包含對應於R、G及B之三種色彩之該三個子像素11R、11G及11B之一子像素組態。此處，該三個子像素11R、11G及11B在像素11中之每一者中沿著一水平線方向(一H線方向)配置成一線。然而，像素11中之每一者中之子像素11R、11G及11B之配置組態並不限於此實例，且可係其他配置組態。
    應注意，儘管圖2中未圖解說明，但信號線DTLr、掃描線WSL及電力線DSL連接至子像素11R。類似地，信號線DTLb、掃描線WSL及電力線DSL連接至子像素11B。並且，信號線DTLg、掃描線WSL及電力線DSL連接至子像素11G。換言之，對應於各別色彩之信號線DTLr、DTLg及DTLb分別連接至子像素11R、11G及11B，而掃描線WSL及電力線DSL中之每一者連接至子像素11R、11G及11B作為一共同線。
    圖3圖解說明子像素11R、11G及11B中之每一者之一內部組態(一電路組態)之一實例。在子像素11R、11G及11B中之每一者中，具備機EL器件12(一光發射器件)及一像素電路14。
    像素電路14係使用一寫入電晶體Tr1(用於取樣)、一驅動電晶體Tr2及一保持電容元件Cs組態而成。換言之，此像素電路14具有一所謂「2Tr1C」之一電路組態。此處，寫入電晶體Tr1及驅動電晶體Tr2中之每一者係由(舉例而言)一n通道MOS(金屬氧化物半導體)類型之一TFT(薄膜電晶體)形成。應注意，TFT之類型不受特別限制，且可係(舉例而言)一反相交錯結構(一所謂底部閘極類型)或一交錯結構(一所謂頂部閘極類型)。
    像素電路14中之寫入電晶體Tr1當中，一閘極連接至掃描線WSL，一汲極連接至信號線DTL(DTLr、DTLg及DTLb)，且一源極連接至驅動電晶體Tr2之一閘極及保持電容元件Cs之一第一端。驅動電晶體Tr2當中，一汲極連接至電力線DSL，且一源極連接至保持電容元件Cs之一第二端及有機EL器件12之一陽極。有機EL器件12之一陰極設定至(舉例而言)沿著一水平方向延伸之一導線上之一固定電位VSS(例如，一接地電位)。
    此處，在本實施例之子像素11R、11G及11B中之每一者中，其至少一部分係該光透射區域(在圖4B中以一虛線指示之一區域)，如(舉例而言)圖4A及圖4B中所圖解說明。具體而言，如稍後將詳細闡述，在子像素11R、11G及11B中之每一者內之像素電路14中，一驅動器件(寫入電晶體Tr1、驅動電晶體Tr2及保持電容元件Cs)之一半導體層及一電極層以及一佈線層中之每一者之至少一部分係使用一光透射材料(一透明材料)組態而成。此允許子像素11R、11G及11B展現(舉例而言)約77%之一高孔徑比。相比之下，根據圖4C中所圖解說明之一比較實例1(其中係一非透明材料之矽(Si)用於如同上文所述之驅動器件之一驅動器件之一半導體層且非透明金屬用於如同上文所述之驅動器件之一驅動器件之一電極層及一佈線層之相關技術之一實例)其中針對一半導體層)之子像素101R、101G及101B中之每一者具有(舉例而言)約36%之一低孔徑比。換言之，在其至少該部分中使用該透明材料組態而成之子像素11R、11G及11B中，與僅使用該等非透明材料組態而成之子像素101R、101G及101B相比，實現更高的孔徑比，且允許視覺識別該背面側。
    圖5示意性地圖解說明顯示面板10之一剖面組態實例。顯示面板10包含自顯示器1之一前面(表面)側至一後面(背面)側按此次序之一TFT基板4、一像素間絕緣膜51、一有機層52、一電極層53、一平整膜54及透射比控制器件15。
    TFT基板4包含自顯示器1之前面側至後面側按此次序之一基板41、一電極層421及一閘極電極422以及一佈線層423A、一金屬層423B、一閘極絕緣體43、一個氧化物半導體層44、一保護層46、一電極層451以及一佈線層452、一電極層471以及一金屬層472、及一保護層48。TFT基板4係藉由形成包含上文所述之驅動器件之元件(寫入電晶體Tr1、驅動電晶體Tr2及保持電容元件Cs)組態而成。
    基板41具有光學透明性，且係由(舉例而言)一玻璃材料或一樹脂材料製成。應注意，在此基板41上，可預先提供由(舉例而言)氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiN)製成之一緩衝層以防止污染物自基板41進入至該驅動器件。
    電極層421係保持電容元件Cs之一第一電極。閘極電極422此處係寫入電晶體Tr1之一閘極電極。佈線層423A形成像素電路14中之佈線及諸如此類。電極層421、閘極電極422及佈線層423A中之每一者形成於基板41上，且係由(舉例而言)諸如包含ITO、IZO(氧化銦鋅)及AZO(氧化鋅鋁)之透明氧化物半導體及透明碳之一光透射材料製成。各自由此一材料製成之電極層421、閘極電極422及佈線層423A係藉由(舉例而言)濺鍍而形成。
    金屬層423B經形成以電連接於佈線層423A上，且經提供以降低(舉例而言)包含信號線DTL之整個佈線之電阻(佈線電阻)。對於金屬層423B，可使用(舉例而言)包含佈線層423A側上之一金屬層(鉬(Mo)、鈦(Ti)、錳(Mn)等)及其上之一金屬層(鋁(Al)、銅(Cu)等)之一成層結構。
    閘極絕緣體43經提供以覆蓋電極層421、閘極電極422、佈線層423A及金屬層423B，且係由(舉例而言)藉由PECVD(電漿增強化學汽相沈積)形成之SiO2製成。然而，作為用於其之一基板，舉例來說，可使用Si3N4、氧化鋁(Al2O3)及由其製成之一層壓膜中之任一者。
    氧化物半導體44係由(舉例而言)含有諸如In、Ga(鎵)、Zn及Sn之元素之一複合氧化物製成，且係使用使(舉例而言)DC濺鍍、RF濺鍍或諸如此類形成。特定而言，根據沈澱速率，使用DC濺鍍係合意的。
    保護層46提供於包含氧化物半導體層44中之寫入電晶體Tr1及諸如此類之一通道區域上，且充當一通道保護膜。此保護層46係由(舉例而言)藉由PECVD形成之SiO2或諸如此類製成。
    電極層451形成包含保持電容元件Cs中之一第二電極、寫入電晶體Tr1中之一源極/汲極電極及有機EL器件12中之一陽極電極(一像素電極)之電極。佈線層452形成像素電路14中之佈線及諸如此類。電極層451及佈線層452亦係由(舉例而言)諸如上文所述之透明氧化物半導體及透明碳之一光透射材料製成。
    電極層471提供於電極層451之寫入電晶體Tr1中之一源極/汲極區域上，且金屬層472提供於佈線層452上。電極層471及金屬層472中之每一者經提供以降低源極/汲極電極及佈線之電阻，且係由(舉例而言)Al或Cu製成。
    保護層48經提供以覆蓋保持電容元件Cs、寫入電晶體Tr1、佈線及諸如此類，且充當一所謂鈍化膜。保護層48係由(舉例而言)諸如藉由濺鍍或ALD(原子層沈積)形成之Al2O3、藉由濺鍍或PECVD形成之SiO2及Si3N4以及由其製成之一層壓膜之具有一高氣障性質之一材料製成。
    像素間絕緣膜51經提供以將子像素11R、11G及11B之有機EL器件12彼此隔離開，且係由諸如聚醯亞胺及丙烯酸之一有機絕緣材料製成。像素間絕緣膜51可使用一旋塗方法、一狹縫塗佈方法、一晶粒塗佈方法或諸如此類來形成。
    有機層52具有其中(舉例而言)層壓一發光層、一電洞注入層、一電洞輸送層、一電子注入層及一電子輸送層(其皆未圖解說明)之一組態。
    電極層53形成有機EL器件12中之一陰極電極(一共同電極)，且經提供以自上面覆蓋有機層52及像素間絕緣膜51。此電極層53亦係由(舉例而言)諸如上文所述之透明氧化物半導體及透明碳之一光透射材料或由一薄金屬層製成之一光透射材料製成。應注意，此電極層53、有機層52及電極層451形成有機EL器件12。
    平整膜54經提供以自上面覆蓋電極層53，且係由(舉例而言)類似於像素間絕緣膜51之材料之一材料(諸如聚醯亞胺及丙烯酸之一有機絕緣材料)製成。
    透射比控制器件15包含自顯示器1之前面側至後面側按此次序之一透明電極151C、一EC材料層152C、一介電膜153、一EC材料層152A及一透明電極151A。由一電致變色(EC)器件組態而成之透射比控制器件15係藉由具有此一層壓結構而形成。
    透明電極151C及151A中之每一者充當驅動該電致變色器件之一電極(一陰極電極及一陽極電極)，且係由(舉例而言)諸如上文所述之透明氧化物半導體及透明碳之一光透射材料製成。應注意，透明電極151C及151A(舉例而言)各自彼此正交形成如同一梳子。
    EC材料層152C係由諸如氧化鎢(WO3)、化釩(V2O5)及氧化鉬(MoO3)之一陰極電致變色材料(一EC材料)製成，且可使用一電子束蒸鍍技術、濺鍍或諸如此類來形成。
    EC材料層152A係由諸如氧化鎳(NiO)、氧化銥(IrO)及氧化鈷(CoO)之一陽極EC材料製成，且可使用一電子束蒸鍍技術、濺鍍或諸如此類來形成。
    介電膜153係由(舉例而言)諸如包含係一金屬氧化物之氧化鉭(Ta2O5)之介電質體及多孔聚合物之一材料製成。 (驅動電路20)
    圖1中所圖解說明之驅動電路20驅動像素陣列區段13(顯示面板10)(亦即，執行顯示驅動)。具體而言，驅動電路20藉由基於影像信號20A依序選擇像素陣列區段13中之該複數個像素11並將一影像信號電壓寫入於選定像素11內之子像素11R、11G及11B中之每一者中來執行對該複數個像素11之顯示驅動。換言之，驅動電路20基於影像信號20A來執行對子像素11R、11G及11B中之每一者之顯示驅動。驅動電路20亦具有驅動透射比控制器件15之一功能。驅動電路20包含一影像信號處理電路21、一時序產生電路22、一掃描線驅動電路23、一信號線驅動電路24、一電力線驅動電路25及一控制器件驅動電路26。
    影像信號處理電路21對自外部輸入之呈數位形式之影像信號20A執行預定影像信號處理，並在此影像信號處理之後將一影像信號21A輸出至信號線驅動電路24。此預定影像信號處理之實例包含伽瑪校正處理及過驅動處理。
    時序產生電路22基於自外部輸入之同步信號20B而產生並輸出一控制信號22A，藉此控制掃描線驅動電路23、信號線驅動電路24、電力線驅動電路25及控制器件驅動電路26以共同操作。
    掃描線驅動電路23藉由根據控制信號22A(與控制信號22A同步地)將一選擇脈衝依序施加至該複數條掃描線WSL來依序選擇該複數個像素11。具體而言，掃描線驅動電路23藉由選擇性地輸出欲施加之一電壓Von以將寫入電晶體Tr1設定處於一導通狀態下，或輸出欲施加之一電壓Voff以將寫入電晶體Tr1設定處於一關斷狀態下來產生該選擇脈衝。此處，電壓Von係等於或高於寫入電晶體Tr1之一導通電壓之一值(一恆定值)，且電壓Voff係低於寫入電晶體Tr1之導通電壓之一值(一恆定值)。
    信號線驅動電路24根據控制信號22A(與控制信號22A同步地)產生對應於自影像信號處理電路21輸入之影像信號21A之一類比影像信號，並將該所產生之信號施加至信號線DTL(DTLr、DTLg及DTLb)中之每一者。具體而言，信號線驅動電路24基於此影像信號21A將每一色彩之類比影像信號電壓個別地施加至信號線DTLr、DTLg及DTLb中之每一者。以此方式，針對由掃描線驅動電路23所選擇之像素11內之子像素11R、11G及11B中之每一者執行影像信號寫入。應注意，該影像信號寫入指示程式化保持電容元件Cs之影像信號電壓並在驅動電晶體Tr2之閘極與源極之間施加一預定電壓。
    電力線驅動電路25根據控制信號22A(與控制信號22A同步地)將一控制脈衝依序施加至該複數條電力線DSL，藉此控制像素11中之每一者中之子像素11R、11G及11B中之每一者中之有機EL器件12之光發射(照明)操作及非光發射(消光)操作。更確切地說，電力線驅動電路25調整該控制脈衝之寬度(脈衝寬度)，且藉此控制像素11中之每一者中之子像素11R、11G及11B中之每一者中之一光發射週期及一非光發射週期(一消光週期)中之每一者之長度(亦即，執行PWM(脈衝寬度調變)控制)。
    控制器件驅動電路26執行在透射比控制器件15中之透明電極151A與151C之間施加稍後將闡述之一驅動電壓(一驅動電壓Vd1或諸如此類)，藉此控制透射比控制器件15之操作之驅動操作(亦即，執行入射光透射操作與入射光吸收操作之間的切換控制)。 [顯示器1之功能及效果] (1.基本操作)
    在此顯示器1中，驅動電路20基於影像信號20A及同步信號20B對顯示面板10(像素陣列區段13)中之像素11中之每一者(子像素11R、11G及11B中之每一者)執行顯示驅動，如圖1至圖3中所圖解說明。因此，一驅動電流饋給至子像素11R、11G及11B中之每一者中之有機EL器件12中，且在有機層52中之發光層中出現電洞-電子重組，藉此促成光發射，如圖5中所圖解說明。然後，在子像素11R、11G及11B中之每一者中，來自此有機層52(該發光層)之發射光Lout1作為顯示光朝向前面側(基板41側)輸出，且發射光Lout2朝向後面側(透射比控制器件15側)輸出。以此方式，對顯示面板10執行基於影像信號20A之影像顯示。
    此處，如圖3中所圖解說明，執行將該影像信號寫入於子像素11R、11G及11B中之每一者中之操作。首先，在其中信號線DTL之電壓為影像信號電壓且電力線DSL之電壓為一電壓VH(在一「H(高)」狀態下)之一週期期間，掃描線驅動電路23使掃描線WSL之電壓自電壓Voff升高至電壓Von。此致使寫入電晶體Tr1進入導通狀態，且因此，驅動電晶體Tr2之一閘極電位Vg增大至對應於信號線DTL此刻之電壓之影像信號電壓。因此，將影像信號電壓寫入至保持電容元件Cs中並保持影像信號電壓。
    此處，在此階段，有機EL器件12之一陽極電壓仍小於係有機EL器件12中之一臨限電壓Vel與一陰極電壓Vca(=VSS)之總和之一電壓值(Vel+Vca)，且有機EL器件12處於一斷開狀態下。換言之，在此階段，該電流仍在有機EL器件12之陽極與陰極之間流動(亦即，有機EL器件12不發射光)。因此，自驅動電晶體Tr2供應之一電流Id流動至並行存在於有機EL器件12之陽極與陰極之間的一器件電容(未圖解說明)，且對此器件電容充電。
    接下來，在其中信號線DTL之電壓及電力線DSL之電壓分別維持處於影像信號電壓及電壓VH(在「H」狀態下)下之一週期期間，掃描線驅動電路23使掃描線WSL之電壓自電壓Von降低至電壓Voff。此致使寫入電晶體Tr1進入關斷狀態，且因此，驅動電晶體Tr2之閘極進入一浮動狀態。然後，在其中驅動電晶體Tr2之閘極與源極之間的一電壓Vgs保持不變之狀態下，電流Id在驅動電晶體Tr2之汲極與源極之間流動。因此，驅動電晶體Tr2之一源極電位Vs升高，且驅動電晶體Tr2之閘極電位Vg亦因經由保持電容元件Cs之電容耦合而升高。此致使有機EL器件12之陽極電壓變為大於係有機EL器件12中之臨限電壓Vel與陰極電壓Vca之總和之電壓值(Vel+Vca)。因而，對應於由保持電容元件Cs保持之影像信號電壓(即，驅動電晶體Tr2之閘極與源極之間的電壓Vgs)之電流Id在有機EL器件12之陽極與陰極之間流動，且藉此有機EL器件12以所期望之強度發射光。
    接下來，在一預定週期之一流逝之後，驅動電路20終止有機EL器件12之光發射週期。具體而言，電力線驅動電路25使電力線DSL之電壓自電壓VH降低至一電壓VL(亦即，使該電壓自「H」轉移至「L(低)」狀態)。然後，驅動電晶體Tr2之源極電位Vs下降。此致使有機EL器件12之陽極電壓變為小於係有機EL器件12中之臨限電壓Vel與陰極電壓Vca之總和之電壓值(Vel+Vca)，且電流Id停止在該陽極與該陰極之間流動。因此，有機EL器件12然後熄滅(轉移至消光週期)。以此方式，根據施加至電力線DSL之控制脈衝之寬度，控制像素11中之每一者中之子像素11R、11G及11B中之每一者中之光發射週期之長度(此處，「H」狀態之週期之長度)。
    應注意，然後，驅動電路20執行該顯示驅動以針對每一圖框週期(一個垂直週期或一個V週期)週期性地重複光發射操作及消光操作。同時，驅動電路20(舉例而言)針對每一水平週期(一1H週期)藉助施加至電力線DSL之控制脈衝及施加至掃描線WSL之選擇脈衝中之每一者沿一列方向執行掃描。因此在顯示器1中執行該顯示操作(由驅動電路20執行之顯示驅動)。 (2.透射比控制器件15之功能)
    下文將詳細闡述係本實施例之顯示器1中之特徵部件中之一者之透射比控制器件15之功能，同時與一比較實例(一比較實例2)進行比較。 (比較實例2)
    首先，不同於本實施例，未在根據圖6中所圖解說明之比較實例2之一顯示面板(一顯示面板200)中提供透射比控制器件15。具體而言，代替透射比控制器件15，在顯示面板200中之一平整膜54上提供一密封基板202(一蓋玻片)。
    因此，在此比較實例2中，在一像素201之子像素11R、11G及11B中之每一者(一有機EL器件12)中之光發射(圖7A)時及非光發射(圖7B)時，視覺識別狀態(舉例而言)分別變為圖7A及圖7B中所圖解說明之視覺識別狀態。換言之，首先，在圖7A中所圖解說明之光發射時，發射光(發射光Lout1及Lout2)自子像素11R、11G及11B中之每一者輸出至一表面側(一使用者側)及一背面側兩者。另一方面，在圖7B中所圖解說明之非光發射時，無發射光自子像素11R、11G及11B中之每一者輸出，且因此，舉例而言，子像素11R、11G及11B中之每一者處於一外部光透射狀態下。
    此處，此比較實例2係不利的，因為可見度因子像素11R、11G及11B中之每一者通常處於光透射狀態下而降低。具體而言，在一正常顯示應用中，舉例而言，甚至在圖7B中所圖解說明之非光發射時亦阻止對可見度之改良，乃因一黑色顯示狀態因外部光(來自背面側之透射光)之存在而不可用。此外，在一AR應用中，舉例來說，在對大量光(外部光)之戶外使用中，可見度亦在圖7A中所圖解說明之光發射時顯著降低。 (本實施例之功能)
    相比之下，如圖1及圖5中所圖解說明，在本實施例之顯示面板10中提供能夠控制入射光之透射比之透射比控制器件15。此實現對光透射比之控制以適於具有光透射區域之像素11中之有機EL器件12中之一光發射狀態(在光發射或非光發射時)，如下文將詳細闡述。
    首先，在此透射比控制器件15中，當未在透明電極151A與151C之間施加驅動電壓Vd1時，EC材料層152A及152C中之每一者展現光學透明性，如圖8A中所圖解說明。出於這個理由，透射比控制器件15總體上展現光學透明性，且允許包含自有機EL器件12輸出至後面側之發射光Lout2及外部光之光透過其(在一透明(光透射)狀態下)。
    另一方面，當在透明電極151A與151C之間施加驅動電壓Vd1時，EC材料層152A及152C中之每一者係有色的且不展現光學透明性，如圖8B中所圖解說明。出於這個理由，透射比控制器件15總體上不展現光學透明性，且不允許包含發射光Lout2及外部光之光透過其(在一有色(光吸收)狀態下)。
    以此方式，依據驅動電壓Vd1之施加之存在或不存在，允許透射比控制器件15在入射光(包含發射光Lout2及外部光之光)透射操作與入射光吸收操作之間切換操作。因此，在本實施例中，在有機EL器件12之光發射及非光發射中之每一者時執行上文所述之透射操作與吸收操作之間的切換控制
    因此，在本實施例中，在像素11中之子像素11R、11G及11B中之每一者(有機EL器件12)中之光發射及非光發射時，依據透射比控制器件15中之光透射狀態與光吸收狀態之組合，各別視覺識別狀態變為(舉例而言)圖9A至圖9D中所圖解說明之視覺識別狀態。
    具體而言，首先，如圖9A中所圖解說明，當透射比控制器件15在有機EL器件12之光發射時處於光透射狀態下時，則視覺識別狀態類似於比較實例2中之圖7A中之視覺識別狀態。換言之，來自子像素11R、11G及11B中之每一者之發射光(發射光Lout1及Lout2)輸出至顯示器1之表面側及背面側中之兩者。
    此外，如圖9B中所圖解說明，當透射比控制器件15在有機EL器件12之非光發射時處於光透射狀態下時，則視覺識別狀態類似於比較實例2中之圖7B中之視覺識別狀態。換言之，舉例而言，因無發射光自子像素11R、11G及11B中之每一者輸出而實現一外部光透射狀態。
    另一方面，如圖9C中所圖解說明，當透射比控制器件15在有機EL器件12之非光發射時處於光吸收狀態下時，則視覺識別狀態變為如下。換句話說，儘管發射光如同在圖9B之狀態下一樣不自子像素11R、11G及11B中之每一者輸出，但因透射比控制器件15處於光吸收狀態下而不允許包含外部光之光透過其。因此，如圖9C中所圖解說明實現一黑色顯示狀態，且可見度(舉例而言)與圖7B及圖9B中之每一者中之狀態相比在一正常顯示應用中改良。
    此外，如圖9D中所圖解說明，當透射比控制器件15在有機EL器件12之光發射時處於光吸收狀態下時，則視覺識別狀態變為如下。換句話說，儘管來自子像素11R、11G及11B中之每一者之發射光如同在圖9A之狀態下一樣輸出至表面側及背面側中之兩者，但因透射比控制器件15處於光吸收狀態下而不允許包含發射光Lout2及外部光之光透過其(後側側變為黑色)。因此，如圖9D中所圖解說明，舉例而言，與圖7A及圖9A中之每一者中之狀態相比，甚至在其中外部光在一AR應用中為強之一情形下，可見度亦改良。
    在本實施例中，如上文所述提供能夠控制入射光之透射比之透射比控制器件15。因此，控制光透射比以適於具有光透射區域之像素11中之有機EL器件12中之光發射狀態。因此，增強具有各自具有光透射區域之像素11之顯示器1中之可見度(舉例而言，增強顯示資訊中之可見度，同時確保背面側上之可見度)。因此，當(舉例而言)使用此顯示器1作為一AR顯示器時，改良存在。
    另外，由於提供透射比控制器件15作為為像素陣列區段13中之所有像素11所共有之唯一器件，因而簡化顯示面板10及控制器件驅動電路26(用於驅動之佈線及諸如此類)之組態。
    接下來，將闡述本發明之其他實施例(一第二實施例及一第三實施例)。應注意，與第一實施例之元件相同之元件將具備與第一實施例之字元相同之字元，且將視需要省略說明。 [第二實施例] [顯示面板10A之組態]
    圖10示意性地圖解說明根據一第二實施例之一顯示面板(一顯示面板10A)之一剖面組態實例。本實施例之顯示面板10A係藉由代替第一實施例之顯示面板10中之透射比控制器件15提供一透射比控制器件15A組態而成，且在其他方面在組態上類似於第一實施例。
    透射比控制器件15A包含自一顯示器1之一前面側至一後面側按此次序之一透明電極151C、一EC材料層152C、一介電膜153、一緩衝層154、一觸媒層155及一調光鏡層156。換言之，此透射比控制器件15A具有其中代替透射比控制器件15中之EC材料層152A及透明電極151A提供緩衝層154、觸媒層155及調光鏡層156之一組態。
    藉由具有此一組態，不同於透射比控制器件15，本實施例之透射比控制器件15A用作能夠在入射光透射操作與入射光反射操作之間切換操作之一電致變色器件，如稍後將闡述。換言之，此透射比控制器件15A能夠在一有機EL器件12之光發射及非光發射中之每一者時在透射操作與反射操作之間切換操作。
    此處，緩衝層154係由(舉例而言)Al製成。觸媒層155係由(舉例而言)鈀(Pd)製成。調光鏡層156係由(舉例來說)鎂-鎳(Mg-Ni)合金製成，且充當透明電極151C之一反電極(一陰極電極)。因此，調光鏡層156及透明電極151C(舉例而言)各自彼此正交形成如同一梳子。 [顯示面板10A之功能及效果]
    在此透射比控制器件15A中，當藉由一控制器件驅動電路26在透明電極151C與調光鏡層156之間施加一驅動電壓Vd2時，調光鏡層156展現光學透明性，如圖11A中所圖解說明。出於這個理由，透射比控制器件15A總體上展現光學透明性，且允許自有機EL器件12朝向後面側輸出之發射光Lout2及外部光之光透過其(一透明(光透射)狀態)。
    另一方面，當不在透明電極151C與調光鏡層156之間施加驅動電壓Vd2時，調光鏡層156展現光反射性(不展現光學透明性)，如圖11B中所圖解說明。出於這個理由，透射比控制器件15A總體上展現光反射性(不展現光學透明性)，且將包含發射光Lout2及外部光之光反射至顯示器1之前面側且因此阻止該光朝向背面側透過其(一鏡(光反射)狀態)。
    以此方式，依據驅動電壓Vd2之施加之存在或不存在，允許透射比控制器件15A在入射光(包含發射光Lout2及外部光之光)透射操作與入射光反射操作之間切換操作。因此，在本實施例中，在有機EL器件12之光發射及非光發射中之每一者時執行透射操作與反射操作之間的切換控制。
    在本實施例中，在一像素11A中之子像素11R、11G及11B中之每一者(有機EL器件12)中之光發射時及非光發射時，依據上文所述之透射比控制器件15A中之一光透射狀態與一光反射狀態之組合，各別視覺識別狀態變為(舉例而言)圖12A至圖12D中所圖解說明之視覺識別狀態。
    具體而言，首先，如圖12A中所圖解說明，當透射比控制器件15A在有機EL器件12之光發射時處於光透射狀態下時，則視覺識別狀態類似於第一實施例中之圖9A中之狀態。換言之，來自子像素11R、11G及11B中之每一者之發射光(發射光Lout1及Lout2)輸出至顯示器1之表面側及背面側中之兩者。
    此外，如圖12B中所圖解說明，當透射比控制器件15A在有機EL器件12之非光發射時處於光透射狀態下時，則視覺識別狀態類似於圖9B中之狀態。換言之，舉例而言，因無發射光自子像素11R、11G及11B中之每一者輸出而實現一外部光透射狀態。
    另一方面，如圖12C中所圖解說明，當透射比控制器件15A在有機EL器件12之非光發射時處於光反射狀態下時，則視覺識別狀態變為如下。換句話說，儘管發射光如同在圖12B之狀態下一樣不自子像素11R、11G及11B中之每一者輸出，但因透射比控制器件15A處於光反射狀態下而不允許包含外部光之光透過其。同時，因透射比控制器件15A處於光反射狀態下而將來自前面側之入射光(外部光)反射至前面側。
    此外，如圖12D中所圖解說明，當透射比控制器件15A在有機EL器件12之光發射時處於光反射狀態下時，則視覺識別狀態變為如下。換句話說，儘管來自子像素11R、11G及11B中之每一者之發射光如同在圖12A之狀態下一樣輸出至表面側及背面側中之兩者，但因透射比控制器件15A處於光反射狀態下而將朝向背面側之發射光Lout2反射至前面側從而引起發射強度之增大。同時，儘管反射來自前面則之外部光，但可見度因發射強度增大而改良。因此，如圖12D中所圖解說明，舉例而言，與圖7A及圖12A中之每一者中之情形相比，甚至在其中外部光在一AR應用中為強之一情形下，可見度亦改良。
    在本實施例中，由於提供透射比控制器件15A，因而增強具有各自具有一光透射區域之像素11之顯示器1中之可見度(舉例而言，在一暗環境下建立光反射狀態，且藉此，在前面側上擷取包含前往背面側之發射光Lout之光)，如同在第一實施例中一樣。因此，當使用此顯示器1作為(舉例而言)一AR顯示器時，改良存在。 [第三實施例] [顯示面板10B之組態]
    圖13示意性地圖解說明根據一第三實施例之一顯示面板(一顯示面板10B)之一剖面組態實例。本實施例之顯示面板10B係藉由代替第一實施例之顯示面板10中之透射比控制器件15提供一密封基板55及一透射比控制器件16組態而成，且在其他方面在組態上類似於第一實施例。
    透射比控制器件16包含自一顯示器1之一前面側至一後面側按此次序之一透明電極161A、一疏水絕緣膜162以及一分隔物165、一非極性液體163、一極性液體164及一透明電極161B。
    藉由具有此一組態，不同於透射比控制器件15及15A，本實施例之透射比控制器件16用作如稍後將闡述能夠在入射光透射操作與入射光吸收操作之間切換操作之一電潤濕器件。換言之，此透射比控制器件16能夠在一有機EL器件12之光發射及非光發射時在透射操作與吸收操作之間切換操作。
    透明電極161A及161B各自充當該電潤濕器件之一驅動電極，且係由(舉例而言)諸如上文所述之透明氧化物半導體及透明碳之一光透射材料製成。應注意，透明電極161A及161B(舉例而言)各自彼此正交形成如同一梳子。
    分隔物165係經提供以分隔子像素11R、11G及11B中之每一者中之疏水絕緣膜162、非極性液體163及極性液體164之一壁區段。分隔物165係由(舉例而言)諸如聚醯亞胺及丙烯酸之一有機絕緣材料製成。
    疏水絕緣膜162係由展現相對於極性液體164之疏水性(拒水性)(在嚴格意義上，在無電場下展現對非極性液體163之親和力)並且具有在電絕緣方面極佳之一性質之一材料製成。該材料之具體實例包含係基於氟之聚合物之聚偏二氟乙烯(PVdF)以及聚四氟乙烯(PTFE)、及聚矽氧。
    非極性液體163係幾乎不具有極性且展現電絕緣之一液體材料，且展現非透明性(不展現光學透明性)。除諸如癸烷、十二烷、十六烷及十一烷之外，適合於非極性液體163之實例還包含有色油(矽油及諸如此類)。
    極性液體164係具有極性之一液體材料，且展現透明性(光學透明性)。適合於極性液體164之實例包含水及其中溶解諸如氯化鉀及氯化納之一電解質之一溶液。此處，當將一電壓施加至此極性液體164時，疏水絕緣膜162(分隔物165之一內表面)之濕潤性(極性液體164與內表面之間的一接觸角)與非極性液體163相比顯著改變。
    密封基板55係經提供以密封整個顯示面板10B之一基板(一蓋玻片或諸如此類)，且係由一透明基板製成。 [顯示面板10B之功能及效果]
    在此透射比控制器件16中，當不在透明電極161A與161B之間施加一驅動電壓Vd3時，非極性液體163與極性液體164之間的一界面係平坦的，如圖14中所圖解說明。出於這個理由，在子像素11R、11G及11B中之每一者之整體上方提供展現非透明性之非極性液體163。因此，透射比控制器件16總體上不展現光學透明性，且不允許包含發射光Lout2及外部光之光透過其(一有色(光吸收)狀態)。
    另一方面，如圖15中所圖解說明，當在透明電極161A與161B之間施加驅動電壓Vd3時，極性液164之濕潤性與上文所述之非極性液體163相比顯著改變，且非極性液體163與極性液體164之間的界面呈朝向後面側突出之一形狀。出於這個理由，僅在子像素11R、11G及11B中之每一者之一部分處安置展現非透明性之非極性液體163(參見在圖15中由一虛線所指示之一箭頭)。因此，透射比控制器件16總體上展現光學透明性，且允許包含發射光Lout2及外部光之光透過其(一透射(光透射)狀態)。
    以此方式，依據驅動電壓Vd3之施加之存在或不存在，允許透射比控制器件16在入射光(包含發射光Lout2及外部光之光)透射操作與入射光吸收操作之間切換操作。因此，在本實施例中，在有機EL器件12之光發射及非光發射中之每一者時執行透射操作與吸收操作之間的切換控制。
    因此，在本實施例中，在一像素11中之子像素11R、11G及11B中之每一者(有機EL器件12)中之光發射時及非光發射時，依據上文所述之透射比控制器件16中之一光發射狀態與一光吸收狀態之組合，各別視覺識別狀態變為(舉例而言地)類似於第一實施例中之圖9A至圖9D中所圖解說明之視覺識別狀態。
    因此，亦在本實施例中獲得由與第一實施例之功能類似之功能提供之類似效果。換言之，增強具有各自具有一光透射區域之像素之顯示器1中之可見度(舉例而言，亦增強顯示資訊中之可見度同時確保背面側上之可見度)。因此，當使用此顯示器1作為(舉例而言)一AR顯示器時，改良存在。
    另外，在本實施例中，透射比控制器件16係使用電致變色器件組態而成，且因此，使一回應速度變成相對高。
    應注意，已針對其中使用能夠在入射光透射操作與入射光吸收操作之間切換操作之電潤濕器件作為透射比控制器件16之情形闡述本實施例，但本實施例並不限於此。另一選擇為，舉例而言，可使用能夠在入射光透射操作與入射光反射操作之間切換操作之一電潤濕器件作為該透射比控制器件。 [修改]
    接下來，將闡述為第一至第三實施例所共有之修改(修改1至4)。應注意，與該等實施例中之每一者之元件相同之元件將具備與該等實施例中之每一者之字元相同之字元，且將視需要省略說明。 [修改1]
    圖16A圖解說明根據一修改1子像素(子像素11R、11G及11B)中之每一者連同透射比控制器件15(或透射比控制器件15A或16)之一內部組態實例(一電路組態實例)。在本修改中，不同於該等實施例中之每一者，透射比控制器件15係針對每複數個像素11唯一安置。此處，特定而言，透射比控制器件15係針對每一水平線而安置。
    具體而言，此處，在透射比控制器件15與有機EL器件12之間，使至少一個電極(此處，形成陰極電極之固定電位線VSS)變成為透射比控制器件15及有機EL器件12所共有。然而，當透射比控制器件15係針對每一水平線而安置時，可不提供透射比控制器件15與有機EL器件12之間的電極作為一共同電極。應注意，圖中之DL指示透射比控制器件15之一驅動導線。
    在本修改中，依據AR使用中之應用，此一組態允許在顯示面板10、10A或10B中形成每一水平線之一透明區域(一光透射區域)10-1及一非透明區域(一非光透射區域)10-2，如(舉例而言)圖17A中所圖解說明。另外，使用一陰極導線作為透射比控制器件15之電極減小導線之數目，藉此簡化驅動電路。應注意，舉例來說，透射比控制器件15可針對每一垂直線而不是每一水平線而安置。 [修改2]
    圖16B圖解說明根據一修改2子像素(子像素11R、11G及11B中之每一者連同透射比控制器件15之一內部組態實例(一電路組態實例)。在本修改中，不同於該等實施例中之每一者及修改1，針對每一子像素(像素)提供透射比控制器件15。
    具體而言，此處，在透射比控制器件15與有機EL器件12之間，使至少一個電極(此處，形成陰極電極之固定電位線VSS)變成為透射比控制器件15及有機EL器件12所共有。然而，當透射比控制器件15係針對每一子像素而安置時，可不提供透射比控制器件15與有機EL器件12之間的電極作為一共同電極。另外，此處，提供一電晶體(一選擇電晶體)Tr3及一掃描線WSL2以針對子像素11R、11G及11B中之每一者選擇性地驅動透射比控制器件15。並且，提供一保持電容元件Cs2以在透射比控制器件之兩端之間保持一電位。應注意，圖16B中之VSS1及VSS2中之每一者係一固定電位線。
    因此，在本修改中，依據(舉例來說)AR使用中之應用，藉由顯示面板10、10A及10B中之子像素(像素)來實現透明區域10-1及非透明區域10-2，如(舉例而言)圖17B中所圖解說明。具體而言，舉例而言，顯示一字母之一加重輪廓區域係可行的。另外，導線之數目因使用陰極導線作為與透射比控制器件15共用之電極而減小。 [修改3及修改4]
    圖18A及圖18B分別係各自示意性地圖解說明根據修改3及修改4之每一像素(像素11-1及11-2)之一內部組態(一子像素組態)實例之平面圖。在修改3及修改4之各別像素11-1及11-2中之每一者中，不同於該等實施例之像素11及11A，透射比控制器件15係與子像素11R、11G及11B並排安置。
    具體而言，在圖18A中所圖解說明之修改3之像素11-1中，該三個子像素11R、11G及11B以及該一個透射比控制器件15在像素11-1中安置成一矩陣(2行×2列)。
    在圖18B中所圖解說明之修改4之像素11-2中，該三個子像素11R、11G及11B以及該一個透射比控制器件15在像素11-2中之每一者中沿著一水平線方向對準。
    應注意，子像素11R、11G及11B以及透射比控制器件15被允許共用該等電極之一部分，且係使用噴墨印刷、柔性版印刷或諸如此類而形成。
    在此等修改3及修改4中，上述組態允許獲得在像素11-1及11-2中之光發射及非光發射中之每一者時之視覺識別狀態，如由(舉例而言)圖19A至圖19D中所圖解說明之修改3所表示。換言之，在像素11-1中之子像素11R、11G及11B中之每一者(有機EL器件12)中之光發射及非光發射中之每一者時，依據透射比控制器件15中之光發射狀態與光吸收狀態(或光反射狀態)之組合，達成類似於該等實施例之視覺識別狀態之視覺識別狀態。
    因此，亦在修改3及修改4中獲得由與該等實施例之功能類似之功能提供之類似效果。換言之，增強具有各自具有光透射區域之像素之顯示器1中之可見度。因此，當使用此顯示器1作為(舉例來說)一AR顯示器時，改良存在。 [模組及應用實例]
    參照圖20至圖25G，下文將闡述該等實施例及該等修改中之每一者中之顯示器1之應用實例。該等實施例及該等修改中之每一者中之顯示器1可應用於顯示外部輸入之影像信號或內部產生之影像信號作為靜止影像或移動影像之所有領域中之電子單元。該等電子單元包含電視接收器、數位相機、膝上型電腦、諸如可攜式電話之可攜式終端、視訊攝影機及諸如此類。 (模組)
    舉例來說，將顯示器1併入至諸如稍後將闡述之應用實例1至5之各種各樣的電子單元中，作為圖20中所圖解說明之一模組。此模組係(舉例而言)藉由提供曝露於一基板31相對於一密封基板32之一側處之一區域210而形成。在此曝露區域210中，一外部連接端子(未圖解說明)由驅動電路20之延伸導線形成。此外部連接端子可具備用於信號之輸入及輸出之一撓性印刷電路(FPC)220。 (應用實例1)
    圖21圖解說明顯示器1應用於其之一電視接收器之一外部視圖。此電視接收器具有(舉例而言)包含一前面板310及一濾光玻璃320之一影像顯示螢幕區段300。影像顯示螢幕區段300係使用顯示器1組態而成。 (應用實例2)
    圖22A及圖22B各自圖解說明顯示器1應用於其之一數位相機之一外部視圖。此數位相機包含(舉例而言)一閃光燈發射區段410、一顯示區段420、一選單開關430及一快門線440。顯示區段420係使用顯示器1組態而成。 (應用實例3)
    圖23圖解說明顯示器1應用於其之一膝上型電腦之一外部視圖。此膝上型電腦包含(舉例而言)一主區段510、用於輸入字元及諸如此類之一鍵盤520及顯示一影像之一顯示區段530。顯示區段530係使用顯示器1組態而成。 (應用實例4)
    圖24圖解說明顯示器1應用於其之一視訊攝影機之一外部視圖。此視訊攝影機包含(舉例而言)一主區段610、安置於此主區段610之一前面上以拍攝一被攝體之一影像之一透鏡620、用於拍攝之一開始/停止開關630及一顯示區段640。顯示區段640係使用顯示器1組態而成。 (應用實例5)
    圖25A至圖25G圖解說明顯示器1應用於其之一可攜式電腦之外部視圖。此可攜式電腦係(舉例而言)其中一上部外殼710及一下部外殼720由一耦合區段(一鉸鏈區段)730連接，且包含一顯示器740、一子顯示器750、一閃光燈760及一相機770。顯示器740或子顯示器750係使用顯示器1組態而成。
    已參照該等實施例、該等修改及該等應用實例闡述本發明之技術，但其並不限於此等實施例、修改及應用實例，且可以不同的方式加以修改。
    舉例而言，在該等實施例、該等修改及該等應用實例中，儘管已參照其中使用該電致變色器件及該電潤濕器件作為該透射比控制器件之一實例之情形提供說明，但其並不限於此。該透射比控制器件可使用其他類型之器件組態而成。另外，在該等實施例、該等修改及該等應用實例中，使用該有機EL器件作為該光發射器件之一實例，但可使用除該有機EL器件之外的一光發射器件(例如，一無機EL器件、LED(發光二極體)及諸如此類)。
    此外，在該等實施例、該等修改及該等應用實例中，已藉由將該所謂底部發射類型之顯示面板作為一實施提供說明，但其並不限於此。該顯示面板可為一所謂頂部發射類型。
    此外，在該等實施例、該等修改及該等應用實例中，已參照其中在該透射比控制器件中分兩個階段(透射或非透射)來控制(在兩個階段之間切換)光透射比之情形提供說明，但其並不限於此。可分多個階段來控制(在多個階段之間切換)光透射比。
    另外，在該等實施例、該等修改及該等應用實例中，已參照其中顯示器1為主動式矩陣類型之情形提供說明。然而，針對主動式矩陣驅動所提供之像素電路14之組態並不限於針對於該等實施例、該等修改及該等應用實例所闡述之像素電路14之組態。換言之，像素電路14之組態並不限於針對該等實施例、該等修改及該等應用實例所闡述之「2Tr1C」電路組態。舉例來說，一電晶體及諸如此類可添加至像素電路14或必要時提供作為一替換。在那種情形下，可根據像素電路14之一變化添加除掃描線驅動電路23、信號線驅動電路24及電力線驅動電路25之外的一必要驅動電路。
    此外，在該等實施例、該等修改及該等應用實例中，已參照其中時序產生電路22控制掃描線驅動電路23、信號線驅動電路24、電力線驅動電路25及控制器件驅動電路26中之驅動操作之情形提供說明。然而，此等電路之驅動操作可由其他電路控制。此外，對掃描線驅動電路23、信號線驅動電路24、電力線驅動電路25及控制器件驅動電路26之控制可由韌體(一電路)或軟體(一程式)執行。
    此外，在該等實施例、該等修改及該等應用實例中，已參照其中寫入電晶體Tr1、驅動電晶體Tr2及諸如此類中之每一者係由n通道電晶體(例如，n通道MOS類型之TFT)形成之情形提供說明，但其並不限於此。換言之，寫入電晶體Tr1、驅動電晶體Tr2及諸如此類中之每一者可由一p通道電晶體(例如，一p通道MOS類型之一TFT)形成。
    本技術可組態如下。
    (1)一種顯示器，其包含：複數個像素，每一像素包含一光發射器件，且在其至少一部分中具有一光透射區域；及一或多個透射比控制器件，其能夠控制入射光之一透射比。
    (2)如(1)之顯示器，其中該透射比控制器件能夠在入射光透射操作與入射光吸收操作或反射操作之間切換操作。
    (3)如(2)之顯示器，其中該透射比控制器件能夠在該光發射器件之光發射及非光發射中之每一者之一時間在該透射操作與該吸收操作或該反射操作之間切換該操作。
    (4)如(1)至(3)中任一者之顯示器，其中該一或多個透射比控制器件經安置以面向該等光發射器件。
    (5)如(1)至(3)中任一者之顯示器，其中該一或多個透射比控制器件係與該等光發射器件並排安置。
    (6)如(1)至(5)中任一者之顯示器，其中該透射比控制器件係針對每複數個該等像素而安置。
    (7)如(6)之顯示器，其中將該透射比控制器件提供成為所有該等像素所共有。
    (8)如(6)之顯示器，其中該透射比控制器件係針對每一水平線或每一垂直線而安置。
    (9)如(1)至(5)中任一者之顯示器，其中該透射比控制器件係針對該等像素中之每一者而安置。
    (10)如(1)至(9)中任一者之顯示器，其中使一或多個電極變成在該透射比控制器件與該光發射器件之間共有。
    (11)如(1)至(10)中任一者之顯示器，其中該透射比控制器件係一電致變色器件或一電潤濕器件。
    (12)如(1)至(11)中任一者之顯示器，其中該等像素各自包含一像素電路，該像素電路包含該光發射器件及一驅動器件，且該驅動器件之一半導體層及一電極層以及一佈線層之至少一部分係使用一光透射材料組態於該像素電路中。
    (13)如(1)至(12)中任一者之顯示器，其中該光發射器件係一有機EL器件。
    (14)一種包含一顯示器之電子單元，該顯示器包含：複數個像素，每一像素包含一光發射器件，且在其至少一部分中具有一光透射區域；及一或多個透射比控制器件，其能夠控制入射光之一透射比。
    本發明含有與2011年6月21日在日本專利局提出申請之日本優先專利申請案JP 2011-136929中所揭示之標的物相關之標的物，該日本優先專利申請案之全部內容以引用方式據此併入。
    熟習此項技術者應理解，可依據設計要求及其他因素進行各種修改、組合、子組合及變更，只要其歸屬於隨附申請專利範圍及其等效範圍之範疇內即可。
    1‧‧‧顯示器
    4‧‧‧薄膜電晶體基板
    10-2‧‧‧非透明區域
    10-1‧‧‧透明區域
    11-2‧‧‧像素
    10‧‧‧顯示面板
    10A‧‧‧顯示面板
    10B‧‧‧顯示面板
    11-1‧‧‧像素
    11‧‧‧像素
    11R‧‧‧子像素
    11G‧‧‧子像素
    11B‧‧‧子像素
    11A‧‧‧像素
    12‧‧‧有機電致發光器件
    13‧‧‧像素陣列區段
    14‧‧‧像素電路
    15‧‧‧透射比控制器件
    15A‧‧‧透射比控制器件
    16‧‧‧透射比控制器件
    20‧‧‧驅動電路
    20A‧‧‧影像信號
    20B‧‧‧同步信號
    21A‧‧‧影像信號
    21‧‧‧影像信號處理電路
    22A‧‧‧控制信號
    22‧‧‧時序產生電路
    23‧‧‧掃描線驅動電路
    24‧‧‧信號線驅動電路
    25‧‧‧電力線驅動電路
    26‧‧‧控制器件驅動電路
    31‧‧‧基板
    32‧‧‧密封基板
    41‧‧‧基板
    43‧‧‧閘極絕緣體
    44‧‧‧氧化物半導體層
    46‧‧‧保護層
    48‧‧‧保護層
    51‧‧‧像素間絕緣膜
    52‧‧‧有機層
    53‧‧‧電極層
    54‧‧‧平整膜
    55‧‧‧密封基板
    101R‧‧‧子像素
    101G‧‧‧子像素
    101B‧‧‧子像素
    151A‧‧‧透明電極
    151C‧‧‧透明電極
    152A‧‧‧電致變色材料層
    152C‧‧‧電致變色材料層
    153‧‧‧介電膜
    154‧‧‧緩衝層
    155‧‧‧觸媒層
    156‧‧‧調光鏡層
    161B‧‧‧透明電極
    161A‧‧‧透明電極
    162‧‧‧疏水絕緣膜
    163‧‧‧非極性液體
    164‧‧‧極性液體
    165‧‧‧分隔物
    200‧‧‧顯示面板
    201‧‧‧像素
    202‧‧‧密封基板
    210‧‧‧曝露區域
    220‧‧‧撓性印刷電路
    300‧‧‧影像顯示螢幕區段
    310‧‧‧前面板
    320‧‧‧濾光玻璃
    410‧‧‧閃光燈發射區段
    420‧‧‧顯示區段
    421‧‧‧電極層
    422‧‧‧閘極電極
    423A‧‧‧佈線層
    423B‧‧‧金屬層
    430‧‧‧選單開關
    440‧‧‧快門線
    451‧‧‧電極層
    452‧‧‧佈線層
    471‧‧‧電極層
    472‧‧‧金屬層
    510‧‧‧主區段
    520‧‧‧鍵盤
    530‧‧‧顯示區段
    610‧‧‧主區段
    620‧‧‧透鏡
    630‧‧‧開始/停止開關
    640‧‧‧顯示區段
    710‧‧‧上部外殼
    720‧‧‧下部外殼
    730‧‧‧耦合區段
    740‧‧‧顯示器
    750‧‧‧子顯示器
    760‧‧‧閃光燈
    770‧‧‧相機
    Cs‧‧‧保持電容元件
    Cs2‧‧‧保持電容元件
    DL‧‧‧驅動導線
    DSL‧‧‧電力線
    DTL‧‧‧信號線
    DTLb‧‧‧信號線
    DTLg‧‧‧信號線
    DTLr‧‧‧信號線
    Id‧‧‧電流
    Lout1‧‧‧發射光
    Lout2‧‧‧發射光
    Tr1‧‧‧寫入電晶體
    Tr2‧‧‧驅動電晶體
    Tr3‧‧‧選擇電晶體
    Vd1‧‧‧驅動電壓
    Vd2‧‧‧驅動電壓
    Vd3‧‧‧驅動電壓
    Vg‧‧‧閘極電位
    Vgs‧‧‧電壓
    Vs‧‧‧源極電位
    VSS‧‧‧固定電位/固定電位線
    VSS1‧‧‧固定電位線
    VSS2‧‧‧固定電位線
    WSL‧‧‧掃描線
    WSL2‧‧‧掃描線
    圖1係圖解說明根據本發明之一第一實施例之一顯示器之一實例之一方塊圖。
    圖2係圖解說明圖1中所圖解說明之像素中之每一者中之一子像素組態實例之一示意圖。
    圖3係圖解說明圖2中所圖解說明之子像素中之每一者之一內部組態實例之一電路圖。
    圖4A及圖4B係各自圖解說明圖3中所圖解說明之子像素之一平面組態實例之圖示，且圖4C係圖解說明一比較實例1之一圖示。
    圖5係圖解說明圖1中所圖解說明之一顯示面板之一剖面組態實例之一示意圖。
    圖6係圖解說明根據一比較實例2之一顯示面板之一剖面組態實例之一示意圖。
    圖7A及圖7B分別係示意性地圖解說明在根據比較實例2之一像素中之光發射時之一視覺識別狀態及在根據比較實例2之一像素中之非光發射時之一視覺識別狀態之平面圖。
    圖8A及圖8B係用於描述圖5中所圖解說明之一透射比控制器件中之一光透射狀態及一光吸收狀態之示意圖。
    圖9A至圖9D係示意性地圖解說明在第一實施例之像素中之光發射時及非光發射時之視覺識別狀態之平面圖。
    圖10係圖解說明根據一第二實施例之一顯示面板之一剖面組態實例之一示意圖。
    圖11A及圖11B分別係用於描述圖10中所圖解說明之一透射比控制器件中之一光透射狀態及一光反射狀態之示意圖。
    圖12A至圖12D係示意性地圖解說明在第二實施例之一像素中之光發射時及非光發射時之視覺識別狀態之平面圖。
    圖13係圖解說明根據一第三實施例之一顯示面板之一剖面組態實例之一示意圖。
    圖14係用於描述圖13中所圖解說明之一透射比控制器件中之一光吸收狀態之一示意剖面圖。
    圖15係用於描述圖13中所圖解說明之一透射比控制器件中之一光透射狀態之一示意剖面圖。
    圖16A及圖16B分別係各自圖解說明根據修改1及修改2之每一子像素之一內部組態實例連同一透射比控制器件之電路圖。
    圖17A及圖17B分別係各自圖解說明根據修改1及修改2之一顯示面板中之一透明區域及一非透明區域之一配置實例之示意圖。
    圖18A及圖18B分別係各自圖解說明根據修改3及修改4之每一像素中之一子像素組態實例之示意圖。
    圖19A至圖19D係示意性地圖解說明在修改3之像素中之光發射時及非光發射時之視覺識別狀態之平面圖。
    圖20係圖解說明包含該等實施例及該等修改中之每一者中之該顯示器之一模組之一示意性組態之一平面圖。
    圖21係圖解說明該等實施例及該等修改中之每一者中之該顯示器之一應用實例1之一外部視圖之一透視圖。
    圖22A及圖22B分別係圖解說明在自前面看去時一應用實例2之一外部視圖及在自後面看去時該應用實例之一外部視圖之透射圖。
    圖23係圖解說明一應用實例3之一外部視圖之一透視圖。
    圖24係圖解說明一應用實例4之一外部視圖之一透視圖。
    圖25A至圖25G分別係一應用實例5之視圖，即，處於一打開狀態下之一前視圖、處於該打開狀態下之一側視圖、處於一閉合狀態下之一前視圖、一左側視圖、一右側視圖、一俯視圖及一仰視圖。
    4‧‧‧薄膜電晶體基板
    10‧‧‧顯示面板
    12‧‧‧有機電致發光器件
    15‧‧‧透射比控制器件
    41‧‧‧基板
    43‧‧‧閘極絕緣體
    44‧‧‧氧化物半導體層
    46‧‧‧保護層
    48‧‧‧保護層
    51‧‧‧像素間絕緣膜
    52‧‧‧有機層
    53‧‧‧電極層
    54‧‧‧平整膜
    151A‧‧‧透明電極
    151C‧‧‧透明電極
    152A‧‧‧電致變色材料層
    152C‧‧‧電致變色材料層
    153‧‧‧介電膜
    421‧‧‧電極層
    422‧‧‧閘極電極
    423A‧‧‧佈線層
    423B‧‧‧金屬層
    451‧‧‧電極層
    452‧‧‧佈線層
    471‧‧‧電極層
    472‧‧‧金屬層
    Cs‧‧‧保持電容元件
    Lout1‧‧‧發射光
    Lout2‧‧‧發射光
    Tr1‧‧‧寫入電晶體
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] 一種顯示器，其包括：複數個像素，每一像素包含一光發射器件，且在其至少一部分中具有一光透射區域；及一或多個透射比控制器件，其能夠控制入射光之一透射比。
    [2] 如請求項1之顯示器，其中該透射比控制器件能夠在入射光透射操作與入射光吸收操作或反射操作之間切換操作。
    [3] 如請求項2之顯示器，其中該透射比控制器件能夠在該光發射器件之光發射及非光發射中之每一者之一時間在該透射操作與該吸收操作或該反射操作之間切換該操作。
    [4] 如請求項1之顯示器，其中該一或多個透射比控制器件經安置以面向該等光發射器件。
    [5] 如請求項1之顯示器，其中該一或多個透射比控制器件係與該等光發射器件並排安置。
    [6] 如請求項1之顯示器，其中該透射比控制器件係針對每複數個該等像素而安置。
    [7] 如請求項6之顯示器，其中該透射比控制器件係提供成為所有該等像素所共有。
    [8] 如請求項6之顯示器，其中該透射比控制器件係針對每一水平線或每一垂直線而安置。
    [9] 如請求項1之顯示器，其中該透射比控制器件係針對該等像素中之每一者而安置。
    [10] 如請求項1之顯示器，其中一或多個電極係製作為在該透射比控制器件與該光發射器件之間所共有。
    [11] 如請求項1之顯示器，其中該透射比控制器件係一電致變色器件或一電潤濕器件。
    [12] 如請求項1之顯示器，其中該等像素各自包含一像素電路，該像素電路包含該光發射器件及一驅動器件，且該驅動器件之一半導體層及一電極層以及一佈線層之至少一部分係使用一光透射材料組態於該像素電路中。
    [13] 如請求項1之顯示器，其中該光發射器件係一有機EL器件。
    [14] 一種包含一顯示器之電子單元，該顯示器包括：複數個像素，每一像素包含一光發射器件，且在其至少一部分中具有一光透射區域；及一或多個透射比控制器件，其能夠控制入射光之一透射比。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011136929A|JP2013003480A|2011-06-21|2011-06-21|表示装置および電子機器|
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